在GaN基LED與第三代半導體產業中，藍寶石與GaN的晶格失配、熱膨脹差異，會讓傳統平片襯底長出高位錯的外延層，同時芯片內部因折射率差產生嚴重全反射，光出不來、量子效率上不去。PSS加工工藝通過在藍寶石表面制備微米級周期結構（圓臺、六角錐、火山口等，周期約3–4μm、高1–1.5μm），同步實現“改善外延質量+提升出光效率”，是中小功率LED與照明芯片的主流襯底方案。

　　PSS的核心工藝是“掩膜—圖形轉移—刻蝕”的標準微納流程：先以PECVD沉積SiO?或旋涂光刻膠作硬/軟掩膜，經紫外光刻定義周期圖形；再二選一完成藍寶石結構化——干法ICP-RIE各向異性好、錐角可控，適配倒裝與MiniLED；濕法高溫磷酸/硫酸無等離子體損傷、成本低，是4/6英寸量產的主流。去掩膜后得到的微錐界面，引導GaN側向外延（ELOG），將穿透位錯彎折、合并，位錯密度顯著下降；同時粗糙界面把全反射光打散成可出射角度，外量子效率較平片提升約30%，是“平價高亮”的關鍵。
 

　　在LED通用照明與背光中，PSS是2835、3030等正裝芯片的標配，支撐燈泡、燈管與電視背光的性價比；功率LED與車燈用深刻蝕PSS降低大電流下的效率droop；GaN-on-Sapphire射頻與功率器件也借PSS緩應力、降漏電流。濕法PSS因無刻蝕損傷，更適合對外延表面敏感的UV-LED；干法PSS則用于MicroLED巨量轉移的圖形化緩沖。

　　現代PSS產線已走向全自動：黃光區套刻精度、刻蝕均勻性、翹曲控制決定整片波長一致性，6英寸以上大尺寸與方形定制也漸成熟。對LED廠而言，PSS不是“錦上添花”，而是平衡成本與光效的工業基準——它把藍寶石從“被動承載”變成“主動優化外延與光路”的功能界面，撐起固態照明的大眾化普及。